2DB1386R-13, биполярные транзисторы - bjt pnp 2.5k bipolar
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
2DB1386R-13
Описание 2DB1386R-13
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 4.5 mm |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Серия | 2DB13 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 130.500 mg |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 2.48 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at 500 mA, 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 at 0.5 A at 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара