SIHB21N65EF-GE3, МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Цена от:
667,39 руб.
Нет в наличии
Описание SIHB21N65EF-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | EF |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.240 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Высота | 4.83 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 106 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHB21N65EF-GE3 , МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара