IAUS200N08S5N023ATMA1, МОП-транзистор МОП-транзистор_(75V 120V(
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IAUS200N08S5N023ATMA1
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
786,01 руб.
Нет в наличии
Описание IAUS200N08S5N023ATMA1
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
|---|---|
| Вес изделия | 703.750 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | HSOG-8 |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 32 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IAUS200N08S5N023ATMA1 , МОП-транзистор МОП-транзистор_(75V 120V(
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара