IXTK120N65X2, моп-транзистор msft n-ch ultra jnct x2 3&44
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXTK120N65X2
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Вес изделия | 10 g |
| Тип | X2-Class |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 mW |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 230 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 87 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара