TSM60N900CH, моп-транзистор power моп-транзистор, n-chan 600v, 4.5a, 900mohm
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Артикул:
TSM60N900CH
Описание TSM60N900CH
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
|---|---|
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 720 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 9.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара