TSM60N1R4CH, моп-транзистор power моп-транзистор, n-chan 600v, 3.3a, 1400mohm
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Артикул:
TSM60N1R4CH
Описание TSM60N1R4CH
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 880 mOhms |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 7.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара