FD450R12KE4PHOSA1, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) medium power 62mm
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FD450R12KE4PHOSA1
Описание FD450R12KE4PHOSA1
Серия | Chopper IGBT4 - E4 |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Tray |
Вес изделия | 340 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Screw Mount |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 450 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара