TSM80N950CH C5G, моп-транзистор 800v power моп-транзистор superjunction n-chan
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 800V Power МОП-транзистор Superjunction N-chan
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Артикул:
TSM80N950CH C5G
Описание TSM80N950CH C5G
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Rectifiers |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 19.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 57 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара