2SA1162-O,LF, биполярные транзисторы - bjt bias resistor built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SA1162-O,LF
Описание 2SA1162-O,LF
| Серия | 2SA1162 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 12 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-236MOD-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара