MRFX600GSR5, РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
40 716,10 руб.
Нет в наличии
Описание MRFX600GSR5
| Количество каналов | 2 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | NI-780GS-4L |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | MRFX600 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 1.333 kW |
| Вес изделия | 588 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 193 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Рабочая частота | 1.8 MHz to 400 MHz |
| Выходная мощность | 600 W |
| Усиление | 26.4 dB |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MRFX600GSR5 , РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2180 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара