BC847BE6433HTMA1, биполярные транзисторы - bjt npn silicon af transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BC847BE6433HTMA1
Описание BC847BE6433HTMA1
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | BC847 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Вес изделия | 8 mg |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара