SSM6N55NU,LF, МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
22,92 руб.
Нет в наличии
Описание SSM6N55NU,LF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | SSM6N55 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVII-H |
| Вес изделия | 8.500 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Длина | 2 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Высота | 0.75 mm |
| Упаковка / блок | UDFN-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 64 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 2.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SSM6N55NU,LF , МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара