BC850CE6327HTSA1, Биполярные транзисторы - BJT NPN 30 V 100 mA
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30 V 100 mA
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BC850CE6327HTSA1
Описание BC850CE6327HTSA1
| Серия | BC850 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара