SI3493DDV-T1-GE3, МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI3493DDV-T1-GE3
| Вес изделия | 50 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.6 W |
| Время спада | 40 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 52.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 115 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара