RQ3E120BNTB, МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Цена от:
29,66 руб.
Нет в наличии
Описание RQ3E120BNTB
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | HSMT-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 5.577 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-channel |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 30 ns |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка RQ3E120BNTB , МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара