SIR826DP-T1-GE3, МОП-транзистор 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
Цена от:
338,39 руб.
Нет в наличии
Описание SIR826DP-T1-GE3
| Серия | SIR |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| Длина | 6.15 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.04 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIR826DP-T1-GE3 , МОП-транзистор 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара