IXGT2N250, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage TO-268AA
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
10 329,48 руб.
Нет в наличии
Описание IXGT2N250
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 32 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2500 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 5.5 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 13.5 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXGT2N250 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage TO-268AA
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 234 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара