NSBC114TPDXV6T1G, биполярные транзисторы - с предварительно заданным током смещения 100ma complementary 50v dual npn & pnp
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NSBC114TPDXV6T1G
Описание NSBC114TPDXV6T1G
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | NSBC114TPDXV6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Длина | 1.6 mm |
Вес изделия | 3 mg |
ECCN | EAR99 |
Высота | 0.55 mm |
Ширина | 1.2 mm |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
Полярность транзистора | PNP |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара