SSM3K329R.LF, моп-транзистор sm sig n-ch mos 30v 3.5a 12v vgss
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
SSM3K329R.LF
Описание SSM3K329R.LF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23F-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SSM3K329 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | U-MOSIII |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 126 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Qg - заряд затвора | 1.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 6.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.2 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.1 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара