2SC3326-A,LF, биполярные транзисторы - bjt transistor for low freq. amplification
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SC3326-A,LF
Описание 2SC3326-A,LF
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-236-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | 2SC3326 |
| Вес изделия | 12 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 300 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 42 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара