2SB1188T100P, биполярные транзисторы - bjt dvr pnp 32v 2a
Описание 2SB1188T100P
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Длина | 4.5 mm |
Ширина | 2.5 mm |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 130.500 mg |
ECCN | EAR99 |
Высота | 1.5 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 at 500 mA, 3 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара