2SD2662T100, Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN;30V 1.5A
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN;30V 1.5A
Артикул:
2SD2662T100
Производитель:
Описание 2SD2662T100
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | MPT-3 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 130.500 mg |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 330 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара