BC33716TFR, Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
BC33716TFR
Описание BC33716TFR
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | BC337 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Ширина | 3.93 mm |
| Вес изделия | 240 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара