2SC5658RM3T5G, биполярные транзисторы - bjt ss general purpose npn
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
2SC5658RM3T5G
Описание 2SC5658RM3T5G
| Квалификация | AEC-Q101 |
|---|---|
| Серия | 2SC5658RM3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 1.275 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 1.25 mm |
| Ширина | 0.85 mm |
| Высота | 0.55 mm |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара