FQU12N20TU, МОП-транзистор 200V N-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FQU12N20TU
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FQU12N20 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 6.3 mm |
| Длина | 6.8 mm |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Тип | MOSFET |
| Ширина | 2.5 mm |
| Вес изделия | 343.080 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 55 ns |
| Время нарастания | 120 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.3 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара