FF8MR12W2M1B11BOMA1, Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.
Артикул:
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Производитель:
Описание FF8MR12W2M1B11BOMA1
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Тип | EasyDUAL Module |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | EasyDUAL;CoolSiC |
| Конфигурация | Dual |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 16.5 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, 20 V |
| Типичное время задержки выключения | 57 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.45 V |
| Vf - прямое напряжение | 4.6 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара