2SAR553P5T100, Биполярные транзисторы - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SAR553P5T100
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | 2SxR |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at - 50 mA, - 2 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at - 50 mA, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара