ZXTP01500BGTC, биполярные транзисторы - bjt 500v pnp hiperf transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 500V PNP HiPerf Transistor
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
ZXTP01500BGTC
Описание ZXTP01500BGTC
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | ZXTP01500B |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вес изделия | 112 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 500 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара