BGA7L1N6E6327XTSA1, рч-усилитель rf silicon mmic
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание BGA7L1N6E6327XTSA1
| Тип | LNA for LTE |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Рабочий ток источника питания | 4.5 mA |
| Упаковка / блок | TSNP-6 |
| Рабочее напряжение питания | 3.3 V |
| Pd - рассеивание мощности | 60 mW |
| Усиление | 13.3 dB |
| Технология | SiGe |
| Рабочая частота | 728 MHz to 960 MHz |
| P1dB - точка сжатия | 2 dBm |
| NF - коэффициент шумов | 0.9 dB |
| Изолирование, дБ | 25 dB |
| Входные потери на отражение | 25 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара