PHE13003C,412, биполярные транзисторы - bjt silicon diffused power transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Silicon diffused power transistor
Производитель:
WeEn Semiconductors
Артикул:
PHE13003C,412
Описание PHE13003C,412
| Технология | Si |
|---|---|
| Вес изделия | 217 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 5 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 25 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара