IRF6665TRPBF, моп-транзистор 100v 1 x n-ch hexfet for digital audio
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IRF6665TRPBF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 4.85 mm |
| Коммерческое обозначение | DirectFET |
| Ширина | 3.95 mm |
| Высота | 0.7 mm |
| Упаковка / блок | DirectFET-SH |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Время спада | 4.3 ns |
| Время нарастания | 2.8 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 53 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 8.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.4 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара