MCB60I1200TZ-TUB, Дискретные полупроводниковые модули MSFT SILICON CARBIDE MINI
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание MCB60I1200TZ-TUB
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | SiC |
| Тип | Single MOSFET |
| Упаковка / блок | TO-268AA-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 90 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 34 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MCB60I1200TZ-TUB , Дискретные полупроводниковые модули MSFT SILICON CARBIDE MINI
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара