MMBT3906LT1XT, Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT PNP 40V 0.2A
Артикул:
MMBT3906LT1XT
Производитель:
Описание MMBT3906LT1XT
Вес изделия | 8 mg |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара