RN1103MFV,L3F, биполярные транзисторы - bjt bias resistor with built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor with Built-in Transistor
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
RN1103MFV,L3F
Описание RN1103MFV,L3F
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Серия | RN1103 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.500 mg |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара