NVMFS6H864NWFT1G, МОП-транзистор T8 80V SO8FL
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
95,92 руб.
Нет в наличии
Описание NVMFS6H864NWFT1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 32 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 6.9 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 18 ns |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 21.8 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMFS6H864NWFT1G , МОП-транзистор T8 80V SO8FL
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2180 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара