STGB30H60DLLFBAG, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) automotive-grade trench gate field-stop igbt, hb series 600 v, 30 a high speed
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGB30H60DLLFBAG
Описание STGB30H60DLLFBAG
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
|---|---|
| Серия | STGB30H60DLLFBAG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 260 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 uA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара