RGW60TK65DGVC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Цена от:
435,41 руб.
Нет в наличии
Описание RGW60TK65DGVC11
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-3PFM |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 72 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 33 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 33 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка RGW60TK65DGVC11 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 788 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2778 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 958 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 518 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара