GTVA104001FA-V1-R0, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
147 287,73 руб.
Нет в наличии
Описание GTVA104001FA-V1-R0
| Вид монтажа | Flange Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | H-37265J-2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Средства разработки | LTN/GTVA104001FA-V1 |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | GaN-on-SiC |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.6 A |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Тип транзистора | HEMT |
| Рабочая частота | 960 MHz to 1.215 GHz |
| Усиление | 19 dB |
| Выходная мощность | 400 W |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 10 V to 2 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка GTVA104001FA-V1-R0 , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
