NXH100B120H3Q0PTG, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
9 379,17 руб.
Нет в наличии
Описание NXH100B120H3Q0PTG
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Press Fit |
| Упаковка | Tray |
| Технология | SiC |
| Упаковка / блок | Q0BOOST |
| Pd - рассеивание мощности | 186 W |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.77 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 800 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NXH100B120H3Q0PTG , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 378 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2237 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1216 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 407 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара