IXYT55N120A4HV, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT GEN 4 1200V TO268HV
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXYT55N120A4HV
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX52 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-268HV-3 |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 650 W |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 175 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 350 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXYT55N120A4HV , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT GEN 4 1200V TO268HV
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара