IXTA1R6N100D2HV, МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-D2
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
582,33 руб.
Нет в наличии
Описание IXTA1R6N100D2HV
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-263HV-3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 2.500 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 65 ns |
| Время спада | 41 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Канальный режим | Depletion |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.65 S |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 27 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTA1R6N100D2HV , МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-D2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара