SQD50034E_GE3, моп-транзистор nch 60v vds 20v vgs to-252
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SQD50034E_GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | SQ |
| Вес изделия | 1.166 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 135 S |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара