BZD27C200P RVG, стабилитроны sub sma 1000mw 6% ze ner diode
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Стабилитроны Sub SMA 1000mW 6% Ze ner Diode
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Артикул:
BZD27C200P RVG
Описание BZD27C200P RVG
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | BZD27C200P |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Высота | 1.43 mm |
| Длина | 1.9 mm |
| Ширина | 2.9 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 48 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DO-219AB-2 |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода | 200 V |
| Температурный коэффициент напряжения | 0.13 %/C |
| Зенеровский ток | 1 uA |
| Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое | 750 Ohms |
| Конфигурация | Single |
| Ток испытаний | 5 mA |
| Ir - обратный ток | 1 uA |
| Vf - прямое напряжение | 1.2 V |
| If - прямой ток | 0.2 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара