SIRA12BDP-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Код товара: 10563426

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIRA12BDP-T1-GE3
Производитель:

Описание SIRA12BDP-T1-GE3

ECCNEAR99
УпаковкаReel, Cut Tape
СерияSIR
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Вид монтажаSMD/SMT
ТехнологияSi
КонфигурацияSingle
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности38 W
Время спада10 ns
Время нарастания20 ns
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки60 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.3 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Qg - заряд затвора21 nC
Канальный режимEnhancement
Типичное время задержки выключения15 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Тип транзистора1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.67 S

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIRA12BDP-T1-GE3 , МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 275
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.