SI2300-TP, МОП-транзистор N-Ch Enh FET 20Vds 4.5A 10Vgs 1W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch Enh FET 20Vds 4.5A 10Vgs 1W
Артикул:
SI2300-TP
Производитель:
Описание SI2300-TP
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | N-Ch Polarity |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Вес изделия | 44.184 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Qg - заряд затвора | 4.2 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N- Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 54 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара