BFR 360L3 E6765, рч биполярные транзисторы npn silicon rf transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF Transistor
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BFR 360L3 E6765
Описание BFR 360L3 E6765
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | BFR360L3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 0.540 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 1 mm |
| Ширина | 0.6 mm |
| Высота | 0.45 mm |
| Упаковка / блок | TSLP |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 6 V |
| Pd - рассеивание мощности | 210 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Рабочая частота | 14000 MHz |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.035 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 14000 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 90 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.035 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара