NVMFD6H852NLWFT1G, МОП-транзистор T8 80V LL SO8FL DS
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
81,26 руб.
Нет в наличии
Описание NVMFD6H852NLWFT1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 16 ns |
| Время нарастания | 23 ns |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 138 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMFD6H852NLWFT1G , МОП-транзистор T8 80V LL SO8FL DS
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1216 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 385 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
