SIHA22N60EF-GE3, МОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220;w/diode
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SIHA22N60EF-GE3
| Вес изделия | 3.368 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | EF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Время спада | 25 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 182 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 96 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.8 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара