SIHD2N80AE-GE3, МОП-транзистор Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHD2N80AE-GE3
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | E |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.442 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 23 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара