SISC06DN-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Цена от:
65,82 руб.
Нет в наличии
Описание SISC06DN-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SIS |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 46.3 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Qg - заряд затвора | 38.5 nC |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SISC06DN-T1-GE3 , МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 310 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
